參數(shù)資料
型號(hào): IDTTSE2002B3CNRG
廠商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁(yè)數(shù): 5/30頁(yè)
文件大小: 423K
描述: IC TEMP SENS EEPROM DFN-8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 120
功能: 溫度監(jiān)控系統(tǒng)(傳感器)
傳感器類型: 內(nèi)部
感應(yīng)溫度: -20°C ~ 125°C
精確度: ±1°C(最小值)
拓?fù)洌?/td> ADC(三角積分型),控制邏輯,寄存器庫(kù)
輸出類型: 2 線串行,I²C?/SMBUS?
輸出警報(bào):
輸出風(fēng)扇:
電源電壓: 3 V ~ 3.6 V
工作溫度: -20°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-VFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-VFQFPN(2x3)
包裝: 管件
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May 12, 2010
 
IDT Confidential
DC Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Max.
Units
Input Leakage Current (SCL, SDA)
I
LI
V
IN
 = V
SSSPD
 or V
DDSPD
?
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
 = V
SSSPD
 or V
DDSPD
,
SDA in Hi-Z
?
Supply Current, temp sensor
converting, EEPROM write
I
DD
V
DDSPD
 = 3.3 V, f
C
 = 100 kHz
(rise/fall time < 30 ns)
2
mA
Supply Current, temp sensor shut
down, EEPROM write
I
DD1
V
DDSPD
 = 3.3 V, f
C
 = 100 kHz
(rise/fall time < 30 ns)
1.5
mA
Supply Current, temp sensor shut
down, EEPROM read
I
DD2
V
DDSPD
 = 3.3 V, f
C
 = 100 kHz
(rise/fall time < 30 ns)
0.5
mA
Supply Current, temp sensor
converting, EEPROM standby
I
DD3
V
DDSPD
 = 3.3 V, f
C
 = 100 kHz
(rise/fall time < 30 ns)
0.5
mA
Standby Supply Current
I
DD4
V
IN
 = V
SSSPD
 or V
DDSPD
,
V
DDSPD
 = 3.6 V
100
Input Low Voltage (SCL, SDA)
V
IL
-0.5
0.3*V
DDSPD
V
Input High Voltage (SCL, SDA)
V
IH
0.7* V
DDSPD
V
DDSPD 
+1
V
SA0 High Voltage
V
HV
V
HV
 - V
DDSPD
 >
 4.8 V
7
10
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
 = 2.1 mA,
3 V =<
 V
DDSPD
 =<
 3.6 V
0.4
V
I
OL
 = 0.7 mA,
V
DDSPD
 = 1.7 - 3.6 V
0.2
V
Input hysteresis
V
HYST
V
DDSPD
>
 2.2V
0.05*V
DDSPD
__
V
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PDF描述
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IDTTSE2002GB2A1NCG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC TEMP SENS EEPROM DFN-8
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