參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V65903S85BQG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 9/26頁
文件大?。?/td> 972K
代理商： IDT71V65903S85BQG
6.42
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
17
Timing Waveform of Read Cycle(1,2,3,4)
NOTES:
1.
Q
(A
1)
represents
the
first
output
from
the
external
address
A
1.
Q
(A
2)
represents
the
first
output
from
the
external
address
A
2;
Q
(A
2+1
)represents
the
next
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
A
2,
etc.
where
address
bits
A
0and
A
1are
advancing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
2.
CE
2timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
1and
CE
2
signals.
For
example,
when
CE
1and
CE
2are
LOW
on
this
waveform,
CE
2is
HIGH.
3.
Burst
ends
when
new
address
and
control
are
loaded
into
the
SRAM
by
sampling
ADV/
LD
LOW.
4.
R
/W
is
don’t
care
when
the
SRAM
is
bursting
(ADV/
LD
sampled
HIGH).
The
nature
of
the
burst
access
(Read
or
Write)
is
fixed
by
the
state
of
the
R/
W
signal
when
new
address
and
control
are
loaded
into
the
SRAM.
(C
E
N
high,
eli
m
in
at
es
cu
rr
e
n
t
L
-H
cl
o
c
k
ed
ge
)
Q
(A
2+
1
)
tC
D
R
ea
d
tC
LZ
tC
H
Z
tC
D
tC
D
C
Q
(A
2+
2
)
Q
(A
1
)
Q
(A
2
)
Q
(A
2+
3
)
Q
(A
2+
3
)
Q
(A
2
)
B
ur
s
t
R
ea
d
R
ea
d
D
A
T
A
O
U
T
(B
ur
s
t
W
ra
ps
ar
ou
nd
to
in
it
ia
l
s
ta
te
)
tC
D
C
tH
A
D
V
52
9
8
dr
w
06
R
/W
C
LK
A
D
V
/LD
A
D
R
E
S
C
E
1
,
C
E
2
(2
)
B
W
1
-
B
W
4
O
E
tH
E
tS
E
A
1
A
2
tC
H
tC
L
tC
Y
C
tS
A
D
V
tH
W
tS
W
tH
A
tS
A
tH
C
tS
C
E
N
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
IDT7281L25SOI 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V65903S85BQG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V65903S85PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65903S85PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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IDT71V65903S85PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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