參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V65903S85BQG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 4/26頁(yè)
文件大?。?/td> 972K
代理商： IDT71V65903S85BQG
6.42
12
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Read Operation(1)
Burst Write Operation(1)
Burst Read Operation(1)
Write Operation(1)
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2.
CE2 timing transition is identical to CE1 signal. CE2 timing transition is identical but inverted to the CE1 and CE2 signals.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2.
CE2 timing transition is identical to CE1 signal. CE2 timing transition is identical but inverted to the CE1 and CE2 signals.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2.
CE2 timing transition is identical to CE1 signal. CE2 timing transition is identical but inverted to the CE1 and CE2 signals.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2.
CE2 timing transition is identical to CE1 signal. CE2 timing transition is identical but inverted to the CE1 and CE2 signals.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE1(2)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
H
L
X
Address and Control meet setup
n+1
X
XXX
L
Q0
Contents of Address A0 Read Out
5298 tbl 13
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE1(2)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
H
L
X
Address and Control meet setup
n+1
X
H
XL
Q0
Address A0 Read Out, Inc. Count
n+2
X
H
XL
Q0+1
Address A0+1 Read Out, Inc. Count
n+3
X
H
XL
Q0+2
Address A0+2 Read Out, Inc. Count
n+4
X
H
XL
Q0+3
Address A0+3 Read Out, Load A1
n+5
A1
HL
L
X
L
Q0
Address A0 Read Out, Inc. Count
n+6
X
H
XL
Q1
Address A1 Read Out, Inc. Count
n+7
A2
HL
L
X
L
Q1+1
Address A1+1 Read Out, Load A2
5298 tbl 14
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE1(2)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
L
X
Address and Control meet setup
n+1
X
L
X
D0
Write to Address A0
5298 tbl 15
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE1(2)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
L
X
Address and Control meet setup
n+1
X
H
X
L
X
D0
Address A0 Write, Inc. Count
n+2
X
H
X
L
X
D0+1
Address A0+1 Write, Inc. Count
n+3
X
H
X
L
X
D0+2
Address A0+2 Write, Inc. Count
n+4
X
H
X
L
X
D0+3
Address A0+3 Write, Load A1
n+5
A1
L
LLL
X
D0
Address A0 Write, Inc. Count
n+6
X
H
X
L
X
D1
Address A1 Write, Inc. Count
n+7
A2
L
LLL
X
D1+1
Address A1+1 Write, Load A2
5298 tbl 16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
IDT7281L25SOI 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V65903S85BQG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V65903S85PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65903S85PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65903S85PFG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V65903S85PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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