參數(shù)資料
型號： IDT71V65903S85BQG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 3/26頁
文件大小： 972K
代理商： IDT71V65903S85BQG
6.42
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
11
NOTES:
1.
CE2 timing transition is identical to CE1 signal. CE2 timing transition is identical but inverted to the CE1 and CE2 signals.
2. H = High; L = Low; X = Don't Care; Z = High Impedence.
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst, Deselect and NOOP Cycles(2)
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE1(1)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
HL
L
X
D1
Load read
n+1
X
H
XL
Q0
Burst read
n+2
A1
HL
L
X
L
Q0+1
Load read
n+3
X
L
H
L
X
L
Q1
Deselect or STOP
n+4
X
H
X
L
X
Z
NOOP
n+5
A2
HL
L
X
Z
Load read
n+6
X
H
XL
Q2
Burst read
n+7
X
L
H
L
X
L
Q2+1
Deselect or STOP
n+8
A3
L
LLL
X
Z
Load write
n+9
X
H
X
L
X
D3
Burst write
n+10
A4
L
LLL
X
D3+1
Load write
n+11
X
L
H
L
X
D4
Deselect or STOP
n+12
X
H
X
L
X
Z
NOOP
n+13
A5
L
LLL
X
Z
Load write
n+14
A6
HL
L
X
D5
Load read
n+15
A7
L
LLLL
Q6
Load write
n+16
X
H
X
L
X
D7
Burst write
n+17
A8
HL
L
X
D7+1
Load read
n+18
X
H
X
L
X
L
Q8
Burst read
n+19
A9
L
LLLL
Q8+1
Load write
5298 tbl 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
IDT7281L25SOI 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V65903S85BQG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V65903S85PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65903S85PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65903S85PFG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V65903S85PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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