參數(shù)資料
型號： IDT71V65903S85BQG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 25/26頁
文件大小： 972K
代理商： IDT71V65903S85BQG
6.42
8
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 256K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration 512K x 18, 165 fBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC(3)
A7
CE1
BW3
BW2
CE2
CEN
ADV
/LD
A17
A8
NC
B
NC
A6
CE2
BW4
BW1
CLK
R/
W
OE
NC(3)
A9
NC(3)
C
I/OP3
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
I/OP2
D
I/O17
I/O16
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O15
I/O14
E
I/O19
I/O18
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O13
I/O12
F
I/O21
I/O20
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O11
I/O10
G
I/O23
I/O22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O9
I/O8
H
VSS(1)
VDD(2)
NC
VDD
VSS
VDD
NC
ZZ
J
I/O25
I/O24
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O7
I/O6
K
I/O27
I/O26
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O5
I/O4
L
I/O29
I/O28
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O3
I/O2
M
I/O31
I/O30
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O1
I/O0
N
I/OP4
NC
VDDQ
VSS
DNU(4)
NC
VSS(1)
VSS
VDDQ
NC
I/OP1
P
NC
NC(3)
A5
A2
DNU(4)
A1
DNU(4)
A10
A13
A14
NC
R
LBO
NC(3)
A4
A3
DNU(4)
A0
DNU(4)
A11
A12
A15
A16
5298 tbl 25a
1
234
567
89
10
11
ANC(3)
A7
CE1
BW2
NC
CE2
CEN
ADV
/LD
A18
A8
A10
BNC
A6
CE2
NC
BW1
CLK
R/
W
OE
NC(3)
A9
NC(3)
CNC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
I/OP1
DNC
I/O8
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O7
ENC
I/O9
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O6
FNC
I/O10
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O5
GNC
I/O11
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
I/O4
HVSS(1)
VDD(2)
NC
VDD
VSS
VDD
NC
ZZ
JI/O12
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O3
NC
KI/O13
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O2
NC
LI/O14
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O1
NC
MI/O15
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
I/O0
NC
NI/OP2
NC
VDDQ
VSS
DNU(4)
NC
VSS(1)
VSS
VDDQ
NC
PNC
NC(3)
A5
A2
DNU(4)
A1
DNU(4)
A11
A14
A15
NC
R
LBO
NC(3)
A4
A3
DNU(4)
A0
DNU(4)
A12
A13
A16
A17
5298 tbl25b
NOTES:
1. Pins H1 and N7 do not have to be connected directly to VSS as long as the input voltage is < VIL.
2. Pin H2 does not have to be connected directly to VDD as long as the input voltage is > VIH.
3. Pin B9, B11, A1, R2 and P2 are reserved for a future 18M, 36M, 72M, 144M and 288M respectively.
4. DNU = Do not use. Pins P5, R5, P7, R7 and N5 are reserved for respective JTAG pins: TDI, TMS, TDO, TCK and
TRST on future revisions. The current die
revision allows these pins to be left unconnected, tied LOW (VSS), or tied HIGH (VDD).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
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IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
IDT7281L25SOI 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT71V65903S85PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65903S85PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65903S85PFG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V65903S85PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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