參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V65903S85BQG
廠(chǎng)商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 13/26頁(yè)
文件大?。?/td> 972K
代理商： IDT71V65903S85BQG
6.42
20
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of CEN Operation(1,2,3,4)
NOTES:
1.
Q
(A
1)
represents
the
first
output
from
the
external
address
A
1.
D
(A
2)
represents
the
input
data
to
the
SRAM
corresponding
to
address
A
2.
2.
CE
2timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
1and
CE
2
signals.
For
example,
when
CE
1and
CE
2are
LOW
on
this
waveform,
CE
2is
HIGH.
3.
CEN
when
sampled
high
on
the
rising
edge
of
clock
will
block
that
L-H
transition
of
the
clock
from
propogating
into
the
SRAM.
The
part
will
behave
as
if
the
L-H
clock
transition
did
not
occur.
All
internal
registers
in
the
SRAM
will
retain
their
previous
state.
4.
Individual
Byte
Write
signals
(
BW
x)
must
be
valid
on
all
write
and
burst-write
cycles.
A
write
cycle
is
initiated
when
R/
W
signal
is
sampled
LOW.
The
byte
write
information
comes
in
one
cycle
before
the
actual
data
is
presented
to
the
SRAM.
tH
E
tS
E
R
/W
A
1
A
2
C
L
K
C
E
N
A
D
V
/L
D
A
D
R
E
S
C
E
1
,
C
E
2
(2
)
B
W
1
-
B
W
4
O
E
D
A
T
A
O
U
T
Q
(A
1
)
tC
D
C
Q
(A
3)
tC
D
tC
LZ
Q
(A
1
)
Q
(A
4
)
tC
D
tC
D
C
tC
H
Z
D
(A
2
)
tS
D
tH
D
tC
H
tC
L
tC
Y
C
tH
C
tS
C
A
4
A
5
tH
A
D
V
tS
A
D
V
tH
W
tS
W
tH
A
tS
A
3
tH
B
tS
B
D
A
T
A
IN
52
9
8
dr
w
09
B
(A
2
)
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
IDT7281L25SOI 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V65903S85BQG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V65903S85PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
IDT71V65903S85PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
IDT71V65903S85PFG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V65903S85PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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