參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70T3319S166BC
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
中文描述： 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 5/28頁(yè)
文件大?。?/td> 485K
代理商： IDT70T3319S166BC
6.42
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
PRELIMINARY
Pin Configurations(con't)
(3,4,5,6,9)
17
16
15
14
12
13
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
11
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
I/O
9L
INT
L
V
SS
TDO
A
2L
A
4L
CLK
L
A
8L
A
12L
A
16L
NC
OPT
L
NC
V
SS
COL
L
TDI
A
1L
A
5L
A
9L
A
13L
A
17L(2)
V
DDQL
I/O
9R
V
DDQR
PIPE/
FT
L
A
3L
A
6L
NC
A
10L
A
14L
A
18L(1)
NC
NC
V
SS
I/O
10L
NC
NC
I/O
11L
NC
V
DDQR
I/O
10R
NC
I/O
11R
NC
V
SS
V
DD
NC
I/O
12L
V
DD
V
SS
NC
V
SS
I/O
12R
REPEAT
R
NC
I/O
14L
V
DDQR
V
DDQL
I/O
15R
NC
V
SS
NC
NC
A
15L
A
11L
A
7L
A
0L
NC
I/O
7L
NC
I/O
6L
I/O
8R
UB
L
NC
I/O
8L
V
DDQL
CE
0L
CE
1L
LB
L
REPEAT
L
OE
L
I/O
0L
I/O
2L
I/O
1R
ADS
R
R/
W
R
NC
I/O
16R
I/O
15L
TRST
A
13R
A
12R
NC
V
DD
CLK
R
I/O
0R
NC
NC
NC
NC
A
17R(2)
TCK
TMS
A
5R
A
9R
CE
0R
CE
1R
V
DD
V
SS
NC
NC
NC
A
16R
NC
A
18R(1)
A
14R
A
10R
UB
R
V
SS
V
DDQL
I/O
1L
I/O
2R
NC
INT
R
NC
A
15R
A
11R
A
7R
LB
R
OE
R
V
SS
NC
V
DDQL
OPT
R
NC
70T3339/19/99BF
BF-208
(7)
208-Pin fpBGA
Top View
(8)
5652 drw 02c
I/O
14R
V
DDQL
V
SS
V
DDQR
NC
COL
R
NC
NC
I/O
7R
NC
R/
W
L
NC
ADS
L
V
DDQL
I/O
13R
CNTEN
L
ZZ
R
I/O
13L
V
SS
I/O
16L
V
DDQR
V
SS
I/O
17R
I/O
17L
V
DDQL
V
SS
PIPE/
FT
R
A
8R
CNTEN
R
A
6R
A
3R
A
1R
A
2R
A
0R
I/O
3L
I/O
4L
A
4R
V
DD
V
SS
V
SS
V
DDQR
V
DDQL
V
SS
V
DDQR
V
SS
I/O
3R
I/O
4R
V
SS
V
DDQR
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
I/O
5R
I/O
5L
V
DDQR
I/O
6R
V
SS
V
SS
V
DDQL
V
DD
V
SS
V
DDQR
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
ZZ
L
NC
V
SS
01/13/03
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70T3319 and IDT70T3399.
2. Pin is a NC for IDT70T3399.
3. All V
DD
pins must be connected to 2.5V power supply.
4. All V
DDQ
pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V
DD
(2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V
SS
(0V).
5. All V
SS
pins must be connected to ground supply.
6. Package body is approximately 15mmx 15mmx 1.4mmwith 0.8mmball pitch.
7. This package code is used to reference the package diagram
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
9. Pins B14 and R14 will be V
REFL
and V
REFR
respectively for future HSTL device.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70T3339S133BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3339S166BC JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT70T3319S133BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3339S200BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3319S200BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70T3319S166BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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