參數(shù)資料
型號： IDT70T3319S166BC
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
中文描述： 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁數(shù)： 3/28頁
文件大?。?/td> 485K
代理商： IDT70T3319S166BC
6.42
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
PRELIMINARY
70T3339/19/99BC
BC-256
(8)
256-Pin BGA
Top View
(9)
Pin Configuration
(3,4,5,6,9)
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70T3319 and IDT70T3399.
2. Pin is a NC for IDT70T3399.
3. All V
DD
pins must be connected to 2.5V power supply.
4. All V
DDQ
pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V
DD
(2.5V), and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V
SS
(0V).
5. All V
SS
pins must be connected to ground supply.
6. Package body is approximately 17mmx 17mmx 1.4mm with 1.0mmball-pitch.
7. This package code is used to reference the package diagram
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
9. Pins A15 and T15 will be V
REFL
and V
REFR
respectively for future HSTL device.
E16
I/O
7R
D16
I/O
8R
C16
I/O
8L
B16
NC
A16
NC
A15
NC
B15
NC
C15
NC
D15
NC
E15
I/O
7L
E14
NC
D14
NC
D13
V
DD
C12
A
6L
C14
OPT
L
B14
V
DD
A14
A
0L
A12
A
5L
B12
A
4L
C11
ADS
L
D12
V
DDQR
D11
V
DDQR
C10
CLK
L
B11
REPEAT
L
A11
CNTEN
L
D8
V
DDQR
C8
NC
A9
CE
1L
D9
V
DDQL
C9
LB
L
B9
CE
0L
D10
V
DDQL
C7
A
7L
B8
UB
L
A8
NC
B13
A
1L
A13
A
2L
A10
OE
L
D7
V
DDQR
B7
A
9L
A7
A
8L
B6
A
12L
C6
A
10L
D6
V
DDQL
A5
A
14L
B5
A
15L
C5
A
13L
D5
V
DDQL
A4
A
17L
(2)
B4
A
18L
(1)
C4
A
16L
D4
PIPE/
FT
L
A3
NC
B3
TDO
C3
V
SS
D3
NC
D2
I/O
9R
C2
I/O
9L
B2
NC
A2
TDI
A1
NC
B1
INT
L
C1
COL
L
D1
NC
E1
I/O
10R
E2
I/O
10L
E3
NC
E4
V
DDQL
F1
I/O
11L
F2
NC
F4
V
DDQL
G1
NC
G2
NC
G3
I/O
12L
G4
V
DDQR
H1
NC
H2
I/O
12R
H3
NC
H4
V
DDQR
J1
I/O
13L
J2
I/O
14R
J3
I/O
13R
J4
V
DDQL
K1
NC
K2
NC
K3
I/O
14L
K4
V
DDQL
L1
I/O
15L
L2
NC
L3
I/O
15R
L4
V
DDQR
M1
I/O
16R
M2
I/O
16L
M3
NC
M4
V
DDQR
N1
NC
N2
I/O
17R
N3
NC
N4
PIPE/
FT
R
P1
COL
R
P2
I/O
17L
P3
TMS
P4
A
16R
R1
INT
R
R2
NC
R3
TRST
R4
A
18R
(1)
T1
NC
T2
TCK
T3
NC
T4
A
17R
(2)
P5
A
13R
R5
A
15R
P12
A
6R
P8
NC
P9
LB
R
R8
UB
R
T8
NC
P10
CLK
R
T11
CNTEN
R
P11
ADS
R
R12
A
4R
T12
A
5R
P13
A
3R
P7
A
7R
R13
A
1R
T13
A
2R
R6
A
12R
T5
A
14R
T14
A
0R
R14
OPT
R
P14
NC
P15
NC
R15
NC
T15
NC
T16
NC
R16
NC
P16
I/O
0L
N16
NC
N15
I/O
0R
N14
NC
M16
NC
M15
I/O
1L
M14
I/O
1R
L16
I/O
2R
L15
NC
L14
I/O
2L
K16
I/O
3L
K15
NC
K14
NC
J16
I/O
4L
J15
I/O
3R
J14
I/O
4R
H16
I/O
5R
H15
NC
H14
NC
G16
NC
G15
NC
G14
I/O
5L
F16
I/O
6L
F14
I/O
6R
F15
NC
R9
CE
0R
R11
REPEAT
R
T6
A
11R
T9
CE
1R
A6
A
11L
B10
R/
W
L
C13
A
3L
P6
A
10R
R10
R/
W
R
R7
A
9R
T10
OE
R
T7
A
8R
,
E5
V
DD
E6
V
DD
E7
NC
E8
V
SS
E9
V
SS
E10
V
SS
E11
V
DD
E12
V
DD
E13
V
DDQR
F5
V
DD
F6
NC
F8
V
SS
F9
V
SS
F10
V
SS
F12
V
DD
F13
V
DDQR
G5
V
SS
G6
V
SS
G7
V
SS
G8
V
SS
G9
V
SS
G10
V
SS
G11
V
SS
G12
V
SS
G13
V
DDQL
H5
V
SS
H7
V
SS
H8
V
SS
H9
V
SS
H10
V
SS
H11
V
SS
H12
V
SS
H13
V
DDQL
J5
ZZ
R
J6
V
SS
J7
V
SS
J8
V
SS
J9
V
SS
J10
V
SS
J11
V
SS
J12
ZZ
L
J13
V
DDQR
K5
V
SS
K6
V
SS
K7
V
SS
K8
V
SS
L5
V
DD
L6
NC
L7
NC
L8
V
SS
M5
V
DD
M6
V
DD
M7
NC
M8
V
SS
N5
V
DDQR
N6
V
DDQR
N7
V
DDQL
N8
V
DDQL
K9
V
SS
K10
V
SS
K11
V
SS
K12
V
SS
L9
V
SS
L10
V
SS
L11
V
SS
L12
V
DD
M9
V
SS
M10
V
SS
M11
V
DD
M12
V
DD
N9
V
DDQR
N10
V
DDQR
N11
V
DDQL
N12
V
DDQL
K13
V
DDQR
L13
V
DDQL
M13
V
DDQL
N13
V
DD
F7
NC
F11
V
SS
5652 drw 02d
,
F3
I/O
11R
01/13/03
H6
V
SS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70T3339S133BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3339S166BC JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT70T3319S133BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3339S200BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3319S200BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70T3319S166BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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