參數(shù)資料
型號： IDT70T3319S166BC
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70
中文描述： 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁數(shù)： 18/28頁
文件大?。?/td> 485K
代理商： IDT70T3319S166BC
6.42
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
PRELIMINARY
18
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance
(1)
ADDRESS
An
CLK
DATA
OUT
Qx - 1
(2)
Qx
Qn
Qn + 2
(2)
Qn + 3
ADS
CNTEN
t
CYC2
t
CH2
t
CL2
5652 drw 15
t
SA
t
HA
t
SAD
t
HAD
t
CD2
t
DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
t
SAD
t
HAD
t
SCN
t
HCN
READ
WITH
COUNTER
Qn + 1
,
NOTES:
1.
CE
0
,
OE
,
UB
,
LB
= V
IL
; CE
1
, R/
W
, and
REPEAT
= V
IH
.
2. If there is no address change via
ADS
= V
IL
(loading a new address) or
CNTEN
= V
IL
(advancing the address), i.e.
ADS
= V
IH
and
CNTEN
= V
IH
, then
the data output remains constant for subsequent clocks.
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance
(1)
ADDRESS
An
CLK
DATA
OUT
Qx
(2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3
(2)
Qn + 4
ADS
CNTEN
t
CYC1
t
CH1
t
CL1
5652 drw 16
t
SA
t
HA
t
SAD
t
HAD
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
t
CD1
t
DC
t
SAD
t
HAD
t
SCN
t
HCN
READ
WITH
COUNTER
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70T3339S133BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3339S166BC JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
IDT70T3319S133BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3339S200BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3319S200BC HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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參數(shù)描述
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IDT70T3319S166BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T3319S166BF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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