參數(shù)資料
型號： IDT7025S55GG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA84
封裝： CERAMIC, PGA-84
文件頁數(shù)： 6/22頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： IDT7025S55GG
6.42
IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
14
NOTES:
1.
Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write Port-to-Port Read and
BUSY (M/S = VIH)".
2.
To ensure that the earlier of the two ports wins.
3.
tBDD is a calculated parameter and is the greater of 0ns, tWDD – tWP (actual) or tDDD – tDW (actual).
4.
To ensure that the write cycle is inhibited on Port "B" during contention with Port "A".
5.
To ensure that a write cycle is completed on Port "B" after contention with Port "A".
6.
'X' in part number indicates power rating (S or L).
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature Supply Voltage Range(6)
7025X15
Com'l Ony
7025X17
Com'l Only
7025X20
Com'l, Ind
& Military
7025X25
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.
Unit
BUSY TIMING (M/S = VIH)
tBAA
BUSY Access Time from Address Match
____
15
____
17
____
20
____
20
ns
tBDA
BUSY Disable Time from Address Not Matched
____
15
____
17
____
20
____
20
ns
tBAC
BUSY Access Time from Chip Enable LOW
____
15
____
17
____
20
____
20
ns
tBDC
BUSY Disable Time from Chip Enable HIGH
____
15
____
17
____
17
____
17
ns
tAPS
Arbitration Priority Set-up Time(2)
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
tBDD
BUSY Disable to Valid Data(3)
____
18
____
18
____
30
____
30
ns
tWH
Write Hold After
BUSY(5)
12
____
13
____
15
____
17
____
ns
BUSY TIMING (M/S = VIL)
tWB
BUSY Input to Write(4)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tWH
Write Hold After
BUSY(5)
12
____
13
____
15
____
17
____
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
tWDD
Write Pulse to Data Delay(1)
____
30
____
30
____
45
____
50
ns
tDDD
Write Data Valid to Read Data Delay(1)
____
25
____
25
____
35
____
35
ns
2683 tbl 14a
7025X35
Com'l &
Military
7025X55
Com'l, Ind
& Military
7025X70
Military Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/S = VIH)
tBAA
BUSY Access Time from Address Match
____
20
____
45
____
45
ns
tBDA
BUSY Disable Time from Address Not Matched
____
20
____
40
____
40
ns
tBAC
BUSY Access Time from Chip Enable LOW
____
20
____
40
____
40
ns
tBDC
BUSY Disable Time from Chip Enable HIGH
____
20
____
35
____
35
ns
tAPS
Arbitration Priority Set-up Time(2)
5
____
5
____
5
____
ns
tBDD
BUSY Disable to Valid Data(3)
____
35
____
40
____
45
ns
tWH
Write Hold After
BUSY(5)
25
____
25
____
25
____
ns
BUSY TIMING (M/S = VIL)
tWB
BUSY Input to Write(4)
0
____
0
____
0
____
ns
tWH
Write Hold After
BUSY(5)
25
____
25
____
25
____
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
tWDD
Write Pulse to Data Delay(1)
____
60
____
80
____
95
ns
tDDD
Write Data Valid to Read Data Delay(1)
____
45
____
65
____
80
ns
2683 tbl 14b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT707288L20PF8 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
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70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
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參數(shù)描述
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IDT7025S55J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025S55JI 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT7025S55JI8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025S55PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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