參數(shù)資料
型號： IDT7025S55GG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA84
封裝： CERAMIC, PGA-84
文件頁數(shù)： 22/22頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： IDT7025S55GG
6.42
IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
9
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range(4)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterazation, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE = VIL, UB or LB = VIL, and SEM = VIH. To access semephore, CE = VIH or UB & LB = VIH, and SEM = VIL.
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
7025X15
Com'l Only
7025X17
Com'l Only
7025X20
Com'l, Ind
& Military
7025X25
Com'l &
Military
Unit
Symbol
Parameter
Min.Max.Min.
Max.Min.
Max.
Min.Max.
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
15
____
17
____
20
____
25
____
ns
tAA
Address Access Time
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
tACE
Chip Enable Access Time(3)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
tABE
Byte Enable Access Time(3)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
tAOE
Output Enable Access Time(3)
____
10
____
10
____
12
____
13
ns
tOH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
tLZ
Output Low-Z Time(1,2)
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
tHZ
Output High-Z Time(1,2)
____
10
____
10
____
12
____
15
ns
tPU
Chip Enable to Power Up Time (1,2)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tPD
Chip Disab le to Power Down Time (1,2)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
tSOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE or SEM)10
____
10
____
10
____
10
____
ns
tSAA
Semaphore Address Access(3)
____
15
____
17
____
20
____
25
ns
2683 tbl 12a
7025X35
Com'l &
Military
7025X55
Com'l, Ind
& Military
7025X70
Military Only
Unit
Symbol
Parameter
Min.Max.
Min.Max.Min.
Max.
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
35
____
55
____
70
____
ns
tAA
Address Access Time
____
35
____
55
____
70
ns
tACE
Chip Enable Access Time(3)
____
35
____
55
____
70
ns
tABE
Byte Enable Access Time(3)
____
35
____
55
____
70
ns
tAOE
Output Enable Access Time(3)
____
20
____
30
____
35
ns
tOH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
3
____
ns
tLZ
Output Low-Z Time(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
tHZ
Output High-Z Time(1,2)
____
15
____
25
____
30
ns
tPU
Chip Enable to Power Up Time (1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
tPD
Chip Disab le to Power Down Time (1,2)
____
35
____
50
____
50
ns
tSOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE or SEM)15
____
15
____
15
____
ns
tSAA
Semaphore Address Access(3)
____
35
____
55
____
70
ns
2683 tbl 12b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT707288L20PF8 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
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70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
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參數(shù)描述
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IDT7025S55JI 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT7025S55JI8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025S55PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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