參數(shù)資料
型號： IDT7025S55GG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA84
封裝： CERAMIC, PGA-84
文件頁數(shù)： 19/22頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： IDT7025S55GG
6.42
IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
Recommended DC Operating
Conditions
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage(1)
Capacitance(1) (TA = +25°C, f = 1.0mhz)
Absolute Maximum Ratings(1)
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. VTERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20 mA for the period over VTERM > Vcc + 10%.
NOTES:
1. This is parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
NOTES:
1. VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. VTERM must not exceed Vcc + 10%.
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested. For TQFP package only.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (VCC = 5.0V ± 10%)
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Military
Unit
VTERM(2)
Terminal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
V
TBIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
-65 to +135
oC
TSTG
Storage
Temperature
-65 to +150
oC
IOUT
DC Output
Current
50
mA
2683 tbl 04
Grade
Ambient Temperature
GND
Vcc
Military
-55OC to +125OC0V
5.0V
+ 10%
Commercial
0OC to +70OC0V
5.0V
+ 10%
Industrial
-40OC to +85OC0V
5.0V
+ 10%
2683 tbl 05
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VCC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
V
VIH
Input High Voltage
2.2
____
6.0(2)
V
VIL
Input Low Voltage
-0.5(1)
____
0.8
V
2683 tbl 06
Symbol
Parameter
Conditions(2)
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 3dV
9
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 3dV
10
pF
2683 tbl 07
Symbol
Parameter
Test Conditions
7025S
7025L
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
|ILI|
Input Leakage Current(1)
VCC = 5.5V, VIN = 0V to VCC
___
10
___
5 A
|ILO|
Output Leakage Current
VOUT = 0V to VCC
___
10
___
5 A
VOL
Output Low Voltage
IOL = +4mA
___
0.4
___
0.4
V
VOH
Output High Voltage
IOH = -4mA
2.4
___
2.4
___
V
2683 tbl 08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT707288L20PF8 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
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70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
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參數(shù)描述
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IDT7025S55JI 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT7025S55JI8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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