參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7025S55GG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA84
封裝： CERAMIC, PGA-84
文件頁(yè)數(shù)： 3/22頁(yè)
文件大?。?/td> 176K
代理商： IDT7025S55GG
6.42
IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
11
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage(5)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE = VIL, UB or LB = VIL, SEM = VIH. To access semaphore, CE = VIH or UB & LB = VIH, and SEM = VIL. Either condition must be valid for the
entire tEW time.
4. The specification for tDH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although tDH and tOW values will vary over voltage
and temperature, the actual tDH will always be smaller than the actual tOW.
5. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
Symbol
Parameter
7025X15
Com'l Only
7025X17
Com'l Only
7025X20
Com'l, Ind
& Military
7025X25
Com'l &
Military
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
WRITE CYCLE
tWC
Write Cycle Time
15
____
17
____
20
____
25
____
ns
tEW
Chip Enable to End-of-Write(3)
12
____
12
____
15
____
20
____
ns
tAW
Address Valid to End-of-Write
12
____
12
____
15
____
20
____
ns
tAS
Address Set-up Time(3)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tWP
Write Pulse Width
12
____
12
____
15
____
20
____
ns
tWR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tDW
Data Valid to End-of-Write
10
____
10
____
15
____
15
____
ns
tHZ
Output High-Z Time(1,2)
____
10
____
10
____
12
____
15
ns
tDH
Data Hold Time(4)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tWZ
Write Enable to Output in High-Z(1,2)
____
10
____
10
____
12
____
15
ns
tOW
Output Active from End-of-Write(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tSWRD
SEM Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
tSPS
SEM Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
2683 tbl 13a
Symbol
Parameter
7025X35
Com'l &
Military
7025X55
Com'l, Ind
& Military
7025X70
Military Only
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
WRITE CYCLE
tWC
Write Cycle Time
35
____
55
____
70
____
ns
tEW
Chip Enable to End-of-Write(3)
30
____
45
____
50
____
ns
tAW
Address Valid to End-of-Write
30
____
45
____
50
____
ns
tAS
Address Set-up Time(3)
0
____
0
____
0
____
ns
tWP
Write Pulse Width
25
____
40
____
50
____
ns
tWR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
tDW
Data Valid to End-of-Write
15
____
30
____
40
____
ns
tHZ
Output High-Z Time(1,2)
____
15
____
25
____
30
ns
tDH
Data Hold Time(4)
0
____
0
____
0
____
ns
tWZ
Write Enable to Output in High-Z(1,2)
____
15
____
25
____
30
ns
tOW
Output Active from End-of-Write(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
ns
tSWRD
SEM Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
ns
tSPS
SEM Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
ns
2683 tbl 13b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT707288L20PF8 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
IDT70V05S35 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7025S55J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF
IDT7025S55J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF
IDT7025S55JI 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT7025S55JI8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF
IDT7025S55PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF
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