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參數(shù)資料
| 型號： | ICY7C1362C-166BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 HEIGHT, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 16/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 432K |
| 代理商： | ICY7C1362C-166BZI |
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PRELIMINARY
CY7C1360C
CY7C1362C
Document #: 38-05540 Rev. *C
Page 16 of 31
AC Test Loads and Waveforms
[14]
Note:
14.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R =1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ICY7C1362C-166BGXI | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ID100 | MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES |
| ID100 | SCRs .5 Amp, Planar |
| IDT101494S7C | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
| IDT100494 | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ICY7C1367B-166BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |
| ICY7C1373C-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| ICY7C1373D-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
| ICY7C1373D-100BGXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
| ICY7C1387C-167BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |
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