- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄379206 > IBMN612804GT3B (IBM Microeletronics) 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IBMN612804GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動態(tài)隨機存儲器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)）） |
| 文件頁數(shù)： | 46/79頁 |
| 文件大小： | 1324K |
| 代理商： | IBMN612804GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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06K0566.F39350B
1/01
Truth Table 2: Clock Enable (CKE)
1. CKE n is the logic state of CKE at clock edge n: CKE n-1 was the state of CKE at the previous clock edge.
2. Current state is the state of the DDR SDRAM immediately prior to clock edge n.
3. Command n is the command registered at clock edge n, and action n is a result of command n.
4. All states and sequences not shown are illegal or reserved.
Current State
CKE n-1
CKEn
Command n
Action n
Notes
Previous
Cycle
Current
Cycle
Self Refresh
L
L
X
Maintain Self-Refresh
Self Refresh
L
H
Deselect or NOP
Exit Self-Refresh
1
Power Down
L
L
X
Maintain Power-Down
Power Down
L
H
Deselect or NOP
Exit Power-Down
All Banks Idle
H
L
Deselect or NOP
Precharge Power-Down Entry
All Banks Idle
H
L
Auto Refresh
Self Refresh Entry
Bank(s) Active
H
L
Deselect or NOP
Active Power-Down Entry
H
H
See “Truth Table 3: Current State
Bank n - Command to Bank n
(Same Bank)” on page 47
1. Deselect or NOP commands should be issued on any clock edges occurring during the Self Refresh Exit (t
XSNR
) period. A mini-
mum of 200 clock cycles are needed before applying a read command to allow the DLL to lock to the input clock.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBMN625404GT3B | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM) |
| IBMN625804GT3B | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM) |
| ICM7321 | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
| ICM7321M | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
| ICM7321MG | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBMPPC403GAJC33C1 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBMPPC750CLGEQ4023 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 400MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQ5023 | 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQA033 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ |
| IBN100 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:ICON, BLANK,BR,100PK |
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