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參數資料
| 型號： | IBMN612804GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數據速率結構）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數據速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動態(tài)隨機存儲器（采用雙數據速率結構）） |
| 文件頁數： | 40/79頁 |
| 文件大小： | 1324K |
| 代理商： | IBMN612804GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
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06K0566.F39350B
1/01
Write to Precharge: Non-Interrupting (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(max)
NOP
NOP
NOP
NOP
Write
DI a-b
PRE
DI a-b = data in for bank a, column b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
A non-interrupted burst is shown.
t
WR
is referenced from the first positive CK edge after the last data in pair.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BA a, COL b
BA (a or all)
t
WR
Maximum D
QSS
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
NOP
Write
PRE
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
WR
Minimum D
QSS
DI a-b
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(min)
t
RP
t
RP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBMN625404GT3B | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數據速率同步動態(tài)RAM) |
| IBMN625804GT3B | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數據速率同步動態(tài)RAM) |
| ICM7321 | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
| ICM7321M | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
| ICM7321MG | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IBMPPC403GAJC33C1 | 制造商:IBM 功能描述: |
| IBMPPC750CLGEQ4023 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 400MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQ5023 | 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQA033 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ |
| IBN100 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:ICON, BLANK,BR,100PK |
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