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參數(shù)資料
| 型號： | IBMN612804GT3B |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(128M位高速CMOS同步動態(tài)RAM（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構）) |
| 中文描述： | 128Mb的雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM（128兆位高速的CMOS同步動態(tài)隨機存儲器（采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構）） |
| 文件頁數(shù)： | 36/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 1324K |
| 代理商： | IBMN612804GT3B |
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IBMN612404GT3B
IBMN612804GT3B
128Mb Double Data Rate Synchronous DRAM
Preliminary
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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06K0566.F39350B
1/01
Write to Read: Non-Interrupting (CAS Latency = 2; Burst Length = 4)
CL = 2
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
WTR
NOP
NOP
NOP
Read
Write
DI a-b
NOP
DI a-b = data in for bank a, column b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
A non-interrupted burst is shown.
t
WTR
is referenced from the first positive CK edge after the last data in pair.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
The Read and Write commands may be to any bank.
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
Maximum D
QSS
BAa, COL b
BAa, COL n
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
WTR
NOP
NOP
NOP
Read
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
Minimum D
QSS
BAa, COL b
BAa, COL n
t
DQSS
(max)
DI a-b
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(min)
CL = 2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBMN625404GT3B | 256Mb Double Data Rate Synchronous DRAM(256M位雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)RAM) |
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| ICM7321 | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
| ICM7321M | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
| ICM7321MG | SINGLE 12/10/8-BIT VOLTAGE-OUTPUT DACS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IBMPPC750CLGEQ4023 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 400MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQ5023 | 制造商:IBM Microelectronics 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 500MHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays |
| IBMPPC750CLGEQA033 | 制造商:IBM 功能描述:MPU 750CL RISC 32BIT 90NM 1GHZ 1.15V/1.8V 278FCBGA - Trays 制造商:IBM 功能描述:IBMIBMPPC750CLGEQA033 CPU PPC 750CL 1GHZ |
| IBN100 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:ICON, BLANK,BR,100PK |
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