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參數(shù)資料
| 型號： | IBM13T16644NPA |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 16M x 64 PC100 SDRAM(1MB PC100 同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16米x 64 PC100的SDRAM內(nèi)存（1MB的PC100的同步動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 8/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 407K |
| 代理商： | IBM13T16644NPA |
IBM13T16644NPA
16M x 64 PC100 SDRAM SO DIMM
IBM Corporation. All rights reserved.
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09K1470.E92279
11/99
DC Output Load Circuit
Output Characteristics
(T
A
= 0 to +70C, V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units Notes
I
I(L)
Input Leakage Current, any input
(0.0V
≤
V
IN
≤
V
CC
),
All Other Pins Not Under Test = 0V
RAS, CAS, WE,
A0-A9, A10/AP, A11, BS0, BS1
-8
+8
μ
A
CK0, CK1; CKE0, CKE1; S0, S1
-4
+4
DQMB0-7
-2
+2
SCL
-2
+2
I
O(L)
Output Leakage Current
(D
OUT
is disabled, 0.0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
)
DQ0 - 63
-2
+2
μ
A
SDA
2
2
V
OH
Output Level (LVTTL)
Output “H” Level Voltage
(I
OUT
= -2.0mA)
2.4
—
V
1
V
OL
Output Level (LVTTL)
Output “L” Level Voltage
(I
OUT
= +2.0mA)
—
0.4
1. See DC output load circuit.
Output
1200
50pF
3.3 V
870
V
OH
(DC) = 2.4V, I
OH
= -2mA
V
OL
(DC) = 0.4V, I
OL
= 2mA
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