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參數(shù)資料
| 型號： | HYS64T16000HDL-2.5-A |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.4 ns, DMA200 |
| 封裝： | GREEN, SODIMM-200 |
| 文件頁數(shù)： | 13/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 833K |
| 代理商： | HYS64T16000HDL-2.5-A |
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HYS64T[16/32/64]0xxxHDL–[2.5/3.7/5]–A
Small Outline DDR2 SDRAM Modules
Electrical Characteristics
Data Sheet
17
Rev. 1.1, 2005-06
02182004-HWZ1-64OM
Table 13
Speed Grade Definition Speed Bins for DDR2-533C and DDR2-400B
Speed Grade
DDR2–533
DDR2–400
Unit
Note
IFX Sort Name
–3.7
–5
CAS-RCD-RP latencies
4–4–4
3–3–3
t
CK
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Min.
Max.
—
Clock Frequency
@ CL = 3
t
CK
58
58ns
1)2)3)4)
1) Timings are guaranteed with CK/CK differential Slew Rate of 2.0 V/ns. For DQS signals timings are guaranteed with a
differential Slew Rate of 2.0 V/ns in differential strobe mode and a Slew Rate of 1 V/ns in single ended mode. Timings are
further guaranteed for normal OCD drive strength (EMRS(1) A1 = 0) only.
2) The CK/CK input reference level (for timing reference to CK/CK) is the point at which CK and CK cross. The DQS / DQS,
RDQS / RDQS, input reference level is the crosspoint when in differential strobe mode
3) Inputs are not recognized as valid until
V
REF stabilizes. During the period before VREF stabilizes, CKE = 0.2 x VDDQ is
recognized as low.
4) The output timing reference voltage level is
V
TT.
@ CL = 4
t
CK
3.75
8
5
8
ns
1)2)3)4)
@ CL = 5
t
CK
3.75
8
5
8
ns
1)2)3)4)
Row Active Time
t
RAS
45
70000
40
70000
ns
1)2)3)4)5)
5)
t
RAS.MAX is calculated from the maximum amount of time a DDR2 device can operate without a refresh command which is
equal to 9 x
t
REFI.
Row Cycle Time
t
RC
60
—
55
—
ns
1)2)3)4)
RAS-CAS-Delay
t
RCD
15
—
15
—
ns
1)2)3)4)
Row Precharge Time
t
RP
15
—
15
—
ns
1)2)3)4)
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