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參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L256160AF-75 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD |
| 中文描述： | 片256Mbit移動- RAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 46/55頁 |
| 文件大小： | 1053K |
| 代理商： | HYE25L256160AF-75 |
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DBx1
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Timing Diagrams
Data Sheet
46
V1.1, 2003-04-16
Figure 30
CAS Latency = 3
Command
Bank B
Write
CBz
DBw0
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Bank B
Activate
Command
Z
Hi
RBz
RBz
Command
Bank B
DBw3
DBw1 DBw2
Write
Command
Bank B
DBx0
CBx
Write
DBy1
DBy0
DBy2
Precharge
Command
Bank B
DBy3
CBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK3
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank B
DBz0
Activate
Command
Bank B
Write
DBz1
RBz
RBz
CBz
SPT03924
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYM321000GS-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S-50 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524A6 | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD1025QG | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:2 Channel Low Capacitance ESD Protection DIode Array |
| HYESD1065M | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:6 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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