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參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L256160AF-75 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CAP TANT 10UF 6.3V 20% SMD |
| 中文描述： | 片256Mbit移動- RAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 29/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | HYE25L256160AF-75 |
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Data Sheet
29
V1.1, 2003-04-16
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Timing Diagrams
Figure 10
Non-Minimum Read to Write Interval
Figure 11
Burst Write Operation
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYM321000GS-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S-60 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
| HYM321000S-50 | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524A6 | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD0524P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
| HYESD1025QG | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:2 Channel Low Capacitance ESD Protection DIode Array |
| HYESD1065M | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:6 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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