參數(shù)資料
型號： HYE25L256160AC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 256-Mbit Mobile-RAM
中文描述： 256兆移動RAM
文件頁數(shù)： 24/55頁
文件大?。?/td> 1053K
代理商： HYE25L256160AC
HYE25L256160AC
256-Mbit Mobile-RAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
24
V1.1, 2003-04-16
Table 12
Parameter
I
DD6
Programmable Self Refresh Current
1)2)
Symbol –8, –7.5 Unit
T
CASE
1) Recommended operating conditions unless otherwise noted
2) For proper power-up see the operation section of this data sheet.
Note/ Test Condition
max.
t.b.d.
250
475
725
t.b.d.
150
250
450
t.b.d.
100
150
275
TCSR
3)
max. 15°C
max. 45°C
max. 70°C
max. 85°C
max. 15°C
max. 45°C
max. 70°C
max. 85°C
max. 15°C
max. 45°C
max. 70°C
max. 85°C
3) Extended Mode Register A4-A3, see
“Temperature Compensated Self Refresh with On-Chip Temperature Sensor”
on Page 13
Self refresh current
Self refresh mode,
full array activations = all banks
I
DD6
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
t
CK
=infinity,
CKE = 0.2 V
4)
4) Target values to be verified on final product and may change.
Self refresh current
Self refresh mode,
half array activations = bank 0 + 1
I
DD6
t
CK
=infinity,
CKE = 0.2 V
4)
Self refresh current
Self refresh mode,
quarter array activations = bank 0
I
DD6
t
CK
=infinity,
CKE = 0.2 V
4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYE25L256160AC-8 256-Mbit Mobile-RAM
HYE25L256160AF 256MBit Mobile-RAM
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HYM321000GS-60 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module 2M x 16-Bit Dynamic RAM Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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