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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29W6484DH08TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲(chǔ)器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲(chǔ)器控制器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 63/74頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | HN29W6484DH08TE |
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HN29W6484DH08TE-1
63
Common Memory Access Write AC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Data setup time (-WE)
tsu(D-WEH)
80
—
—
ns
Data hold time
th(D)
30
—
—
ns
Write pulse time
tw(WE)
150
—
—
ns
Address setup time
tsu(A)
30
—
—
ns
-CE setup time
tsu(CE)
0
—
—
ns
Write recover time
trec(WE)
30
—
—
ns
-CE hold following -WE
th(CE)
20
—
—
ns
Common Access Write Timing
-REG
A0 to A10
-CE2/-CE1
-WE
Data In
D0 to D15
-IOWR, -IORD, -OE : High Fix
t
h(D)
t
su(A)
t
w(WE)
t
su(CE)
t
h(CE)
t
rec(WE)
t
su(D-WEH)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WB800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN462532 | 4096-word X 8-bit UV Erasable and Programmable Read Only Memory |
| HN462716 | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
| HN462716G | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29W64AH05TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W8411SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29WB800 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800FP-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800FP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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