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參數(shù)資料
| 型號： | HN29W6484DH08TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲器控制器） |
| 文件頁數(shù)： | 58/74頁 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | HN29W6484DH08TE |
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HN29W6484DH08TE-1
58
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70C, V
CC
= 5 V
±
10%, V
CC
= 3.3 V
±
5%)
Attribute Memory Read AC Characteristics
250 ns
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Read cycle time
tCR
250
—
—
ns
Address access time
ta(A)
—
—
250
ns
-CE access time
ta(CE)
—
—
250
ns
-OE access time
ta(OE)
—
—
125
ns
Output disable time (-CE)
tdis(CE)
—
—
100
ns
Output disable time (-OE)
tdis(OE)
—
—
100
ns
Output enable time (-CE)
ten(CE)
5
—
—
ns
Output enable time (-OE)
ten(OE)
5
—
—
ns
Data valid time (A)
tv(A)
0
—
—
ns
Address setup time
tsu(A)
30
—
—
ns
Address hold time
th(A)
t
su(CE)
t
h(CE)
20
—
—
ns
-CE setup time
0
—
—
ns
-CE hold time
20
—
—
ns
Attribute Memory Read Timing
t
h(A)
t
v(A)
t
dis(CE)
t
dis(OE)
t
h(CE)
Valid Output
t
su(CE)
t
su(A)
t
CR
A0 to A10
-REG
-CE2/-CE1
-OE
D0 to D15
-WE, -IOWR, -IORD : High Fix
t
a(A)
t
a(CE)
t
a(OE)
t
en(OE)
t
en(CE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WB800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN462532 | 4096-word X 8-bit UV Erasable and Programmable Read Only Memory |
| HN462716 | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
| HN462716G | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29W64AH05TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W8411SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29WB800 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800FP-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800FP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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