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參數(shù)資料
| 型號： | GS8662R09BGD-400I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 8M X 9 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 11/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 769K |
| 代理商： | GS8662R09BGD-400I |
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Operating Currents
Parameter
Symbol
Test Conditions
-400
-350
-333
-300
-250
Notes
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating Current (x36):
DDR
IDD
VDD = Max, IOUT = 0 mA
Cycle Time
≥ tKHKH Min
800
810
755
765
685
695
625
635
620
630
2, 3
Operating Current (x18):
DDR
IDD
VDD = Max, IOUT = 0 mA
Cycle Time
≥ tKHKH Min
625
635
590
600
535
545
495
505
425
435
2, 3
Operating Current (x9):
DDR
IDD
VDD = Max, IOUT = 0 mA
Cycle Time
≥ tKHKH Min
625
635
590
600
535
545
495
505
425
435
2, 3
Operating Current (x8):
DDR
IDD
VDD = Max, IOUT = 0 mA
Cycle Time
≥ tKHKH Min
625
635
590
600
535
545
495
505
425
435
2, 3
Standby Current (NOP):
DDR
ISB1
Device deselected,
IOUT = 0 mA, f = Max,
All Inputs
≤ 0.2 V or ≥ VDD – 0.2 V
245
255
240
250
230
240
220
230
205
215
2, 4
Notes:
1.
Power measured with output pins floating.
2.
Minimum cycle, IOUT = 0 mA
3.
Operating current is calculated with 50% read cycles and 50% write cycles.
4.
Standby Current is only after all pending read and write burst operations are completed.
GS8662R08/09/18/36BD-400/350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 3/2011
19/37
2011, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88037BT-225I | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.5 ns, PQFP100 |
| GS880F36BGT-7.5T | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| GS880V18BT-250T | 512K X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS880Z32CGT-250 | 256K X 32 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| GS88118AGT-150I | 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8662R09E-167 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-167I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
| GS8662R09E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb SigmaCIO DDR-II Burst of 4 SRAM |
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