參數(shù)資料
型號(hào)： GS832472GC-150I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 72 CACHE SRAM, 10 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
文件頁(yè)數(shù)： 15/46頁(yè)
文件大小： 1126K
代理商： GS832472GC-150I
Rev: 1.00 10/2001
22/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
2.3 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
1.25 V
Output reference level
1.25 V
Output load
Fig. 1& 2
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig.
1
unless otherwise noted.
3. Output Load 2 for tLZ, tHZ, tOLZ and tOHZ
4. Device is deselected as defined by the Truth Table.
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–
2 uA
ZZ and PE Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ V
IN ≤ V
IH
–
1 uA
–
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ, DP Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ V
IN ≤ V
IL
–
100 uA
–
1 uA
Output Leakage Current (x36/x72)
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–
1 uA
Output Leakage Current (x18)
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–
2 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
DQ
VT = 1.25 V
50
30pF*
DQ
2.5 V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF*
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS832472GC-250T 512K X 72 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA209
GS8342D08E-333T 4M X 8 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS8342Q08AE-278 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS84018AB-190 256K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
GS840E18AGT-150T 256K X 18 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS8324Z72C200 制造商:G.S.I. 功能描述:
GS8342D06BD-350 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
GS8342D06BD-500 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
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