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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8321E18AD-333IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | CACHE SRAM, PBGA165 |
| 封裝： | FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 736K |
| 代理商： | GS8321E18AD-333IT |
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GS8321E18/32/36AD-400/375/333/250/200/150
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00a 2/2011
8/32
2010, GSI Technology
Preliminary
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Write No Bytes
H
L
H
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs, BA, BB, BC and/or BD.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832236AB-150VT | 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| GS8342D11BD-500IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-500 | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-550IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D37BD-300I | 1M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321E18AD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8321E18AGD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FPBGA - Bulk |
| GS8321E18AGD-375I | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FPBGA - Bulk |
| GS8321E18E | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E18E-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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