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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS820V32GQ-5 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 64K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | QFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 200K |
| 代理商： | GS820V32GQ-5 |
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Rev. 9/09/97
11/15
64K x 32 Burst
GS820V32Q/T
4/5/6, 2.5V I/O, 2.0mA
80-133MHz (P/L)
66MHz Flow-Thru
G S I T E C H N O L O G Y
GS820V32Q/T
CLK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BWE
CE1
CE3
OE
CE2
RD1
WR1
RD2
WR1
Q1a
D1a
Q2a
Q2b
Q2c
Q2d
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tS tH
tS
tS tH
tS
tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
CE1 masks ADSP
CE2 and CE3 only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with CE3
DQ1-
BW1 -
BW4
A0-A15
tKL
tKC
tS
tH
Single Write
ADSP is blocked by CE1 inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
DQ32
Read/Write Cycle Timing (Pipeline)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321E18AD-333IT | CACHE SRAM, PBGA165 |
| GS832236AB-150VT | 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| GS8342D11BD-500IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-500 | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-550IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS820V32Q | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 Burst |
| GS820V32Q4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q4I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q5I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
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