參數(shù)資料
型號： GS820V32GQ-5
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100
封裝： QFP-100
文件頁數(shù)： 12/15頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： GS820V32GQ-5
Rev. 9/09/97
6/15
64K x 32 Burst
GS820V32Q/T
4/5/6, 2.5V I/O, 2.0mA
80-133MHz (P/L)
66MHz Flow-Thru
G S I T E C H N O L O G Y
GS820V32Q/T
DC Characteristics (Voltage reference to VSS=0V)
(VDD=3.135V to 3.465V, Ta=0 to 70C)
(TA= -40 to +85C for Industrial Temperature Offering)
Parameter
Symbol
Test Conditions
133MHz
-4
-5
-6
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Input Leakage Current
(except ZZ, FT, LBO pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
-1uA
1uA
-1uA
1uA
-1uA
1uA
-1uA
1uA
ZZ Input Current
IINZZ
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0V
≤ V
IN ≤ VIH
-1uA
1uA
300uA
-1uA
1uA
300uA
-1uA
1uA
300uA
-1uA
1uA
300uA
Mode Input Current
(FT & LBO pins)
IINM
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0V
≤ V
IN ≤ VIH
-300uA
-1uA
1uA
-300uA
-1uA
1uA
-300uA
-1uA
1uA
-300uA
-1uA
1uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDD
-1uA
1uA
-1uA
1uA
-1uA
1uA
-1uA
1uA
Output High Voltage
VOH
IOH = - 8mA
2.4V
2.4
2.4V
Output Low Voltage
VOL
IOL = + 8mA
0.4V
Parameter
Symbol
Test Conditions
133MHz
-4
-5
-6
0 to
70C
-40 to
+85C
0 to
70C
-40 to
+85C
0 to
70C
-40 to
+85C
0 to
70C
-40 to
+85C
Operating Supply Current
(VDD = man, E = VIH)
IDD
Device Selected;
All other inputs
≥ V
IH or ≤ VIL
Output open
240mA
245mA
210mA 215mA 180mA
185mA
150mA
155mA
Standby Current
ISB
ZZ
≥ V
DD - 0.2V
2mA
7mA
2mA
7mA
2mA
7mA
2mA
7mA
Deselect Supply Current
IDD
Device Selected;
All other inputs
≥ V
IH or ≤ VIL
80mA
85mA
70mA
75mA
60mA
65mA
50mA
55mA
AC Test Conditions
(VDD=3.135V to 3.465V, Ta=0 to 70C)
Note:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1 unless otherwise noted
3. Output load 2 for tLZ, tHZ, tOLZ and tOHZ.
Parameter
Conditions
Input high level
VIH=2.4V
Input low level
VIL=0.4V
Input rise time
tr=1V/ns
Input fall time
tf=1V/ns
Input reference level
1.4V
Output reference level
1.4V
Output load
Fig. 1& 2
DQ
VT=1.4V
50
30pF1
DQ
3.3V
Fig. 1
Output load 1
Output load 2
Fig. 2
295
217
5pF1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8321E18AD-333IT CACHE SRAM, PBGA165
GS832236AB-150VT 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
GS8342D11BD-500IT 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS8342D11BD-500 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS8342D11BD-550IT 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS820V32Q 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 Burst
GS820V32Q4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM
GS820V32Q4I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM
GS820V32Q5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM
GS820V32Q5I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*