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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS820V32GQ-5 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | SRAM |
| 英文描述： | 64K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | QFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 200K |
| 代理商： | GS820V32GQ-5 |
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Rev. 9/09/97
10/15
64K x 32 Burst
GS820V32Q/T
4/5/6, 2.5V I/O, 2.0mA
80-133MHz (P/L)
66MHz Flow-Thru
G S I T E C H N O L O G Y
GS820V32Q/T
CLK
ADSP
ADSC
ADV
GW
CE1
BWE
CE3
OE
WR2
WR3
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
D2a
D2b
D2c
D2d
D3a
D1a
tKL
tKH
tS tH
Write specified byte for 2a and all bytes for 2b, 2c& 2d
CE2 and CE3 only sampled with ADSP or ADSC
CE1 masks ADSP
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by CE1 inactive
A0-A15
BW1 -
BW4
CE2
DQ1-
Write
Deselected
Hi-Z
WR1
WR2
WR3
Deselected with CE2
DQ32
Write Cycle Timing
(This waveform can apply to both Pipeline and Flow-Thru modes)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321E18AD-333IT | CACHE SRAM, PBGA165 |
| GS832236AB-150VT | 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| GS8342D11BD-500IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-500 | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-550IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS820V32Q | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 Burst |
| GS820V32Q4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q4I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q5I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
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