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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS820V32GQ-5 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 64K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | QFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 200K |
| 代理商： | GS820V32GQ-5 |
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Rev. 9/09/97
9/15
64K x 32 Burst
GS820V32Q/T
4/5/6, 2.5V I/O, 2.0mA
80-133MHz (P/L)
66MHz Flow-Thru
G S I T E C H N O L O G Y
GS820V32Q/T
Q1a
Q3a
Q2d
Q2c
Q2b
Q2a
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CLK
ADSP
ADSC
BWE
OE
GW
ADV
CE2
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tS
tH
tS
tH
tS tH
ADSC initiated read
Suspend Burst
CE1 masks ADSP
CE2 and CE3 only sampled with ADSP or ADSC
Deselected with CE2
Single Read
ADSP is blocked by CE1 inactive
A0-A15
BW1 -
CE3
CE1
tKH
tKC
tStH
tS
tH
BW4
DQ1-
tS
RD1
Hi-Z
DQ32
Read Cycle Timing (Pipeline)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321E18AD-333IT | CACHE SRAM, PBGA165 |
| GS832236AB-150VT | 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| GS8342D11BD-500IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-500 | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-550IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS820V32Q | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 Burst |
| GS820V32Q4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q4I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
| GS820V32Q5I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 Fast Synchronous SRAM |
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