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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161Z18DT-200T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | GS8161Z18DT-200T |
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GS8161Z18D(GT/D)/GS8161Z32D(D)/GS8161Z36D(GT/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2011
20/38
2011, GSI Technology
Preliminary
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD VIN VIH
0 V
V
IN V
IH
–
1 uA
–
1 uA
100 uA
FT Input Current
IIN2
VDD VIN VIL
0 V
V
IN V
IL
–
100 uA
–
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| GS8162ZV36BD-200IT | 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS8161Z18T-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18T-133IT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18T-133T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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