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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161Z18DT-200T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 11/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 283K |
| 代理商： | GS8161Z18DT-200T |
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GS8161Z18D(GT/D)/GS8161Z32D(D)/GS8161Z36D(GT/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 6/2011
19/38
2011, GSI Technology
Preliminary
Note:
These parameters are sample tested.
VDD2 Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Input High Voltage
VIH
0.6*VDD
—
VDD + 0.3
V
Input Low Voltage
VIL
–
0.3
—
0.3*VDD
V
Note:
VIHQ (max) is voltage on VDDQ pins plus 0.3 V.
Recommended Operating Temperatures
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Ambient Temperature (Commercial Range Versions)
TA
025
70
C
Ambient Temperature (Industrial Range Versions)*
TA
–
40
25
85
C
Note:
* The part numbers of Industrial Temperature Range versions end with the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifications
quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
Capacitance
(TA = 25
oC, f = 1 MHZ, V
DD = 2.5 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
45
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
67
pF
20% tKC
VSS – 2.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
VDD + 2.0 V
50%
VDD
VIL
Note:
Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| GS8162ZV36BD-200IT | 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8161Z18T-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18T-133IT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18T-133T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8161Z18T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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