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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161E18GT-166I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 7 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 11/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 935K |
| 代理商： | GS8161E18GT-166I |
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GS8161E18(T/D)/GS816132(D)/GS816136(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.14 3/2005
19/36
1999, GSI Technology
Notes:
1.
I DD
a
nd
I DDQ
apply
to
an
ycombination
of
V
DD3
,V
DD2
,V
DD
Q
3,
and
V
DDQ2
operation.
2.
All
p
arameters
listed
are
worst
case
scenario.
Operating
Currents
Par
ameter
Test
Co
nd
itio
ns
Mo
de
Sym
bo
l
-250
-225
-200
-166
-150
-133
Un
it
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70
°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating
Current
3.3
V
Devi
ce
Selec
ted;
All
other
input
s
≥V
IH
o
r≤
V
IL
Output
open
(x36)
Pipeline
I DD I DDQ
29
0
40
300
40
265
35
275
35
240
30
250
30
205
25
215
25
190
25
20
0
25
170
20
180
20
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
18
0
20
190
20
170
20
180
20
165
15
175
15
155
15
165
15
150
15
16
0
15
140
10
150
10
mA
(x18)
Pipeline
I DD I DDQ
26
0
20
270
20
235
20
245
20
215
15
225
15
185
15
195
15
170
15
18
0
15
155
10
165
10
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
16
5
10
175
10
155
10
165
10
150
10
160
10
140
10
150
10
135
10
14
5
10
125
10
135
10
mA
Operating
Current
2.5
V
Devi
ce
Selec
ted;
All
other
input
s
≥V
IH
o
r≤
V
IL
Output
open
(x36)
Pipeline
I DD I DDQ
29
0
30
300
30
265
30
275
30
240
25
250
25
205
20
215
20
190
20
0
20
170
15
180
15
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
18
0
20
190
20
170
20
180
20
165
15
175
15
155
15
165
15
150
15
16
0
15
140
10
150
10
mA
(x18)
Pipeline
I DD I DDQ
26
0
15
270
15
235
15
245
15
215
15
225
15
185
10
195
10
170
10
18
0
10
155
10
165
10
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
16
5
10
175
10
155
10
165
10
150
10
160
10
140
10
150
10
135
10
14
5
10
125
10
135
10
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
–
0.2
V
—
Pipeline
I SB
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Flow
Through
I SB
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
mA
Des
elect
Current
Dev
ice
D
eselected;
All
other
input
s
≥
V
IH
or
≤V
IL
—
Pipeline
I DD
85
90
80
85
75
80
64
70
60
65
50
55
mA
Flow
Through
I DD
60
65
60
65
50
55
50
55
50
55
45
50
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8162V18AGB-350I | 1M X 18 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA119 |
| GS8162Z72CGC-250IVT | 256K X 72 ZBT SRAM, 5.5 ns, PBGA209 |
| GS8162ZV36AGD-350I | 512K X 36 ZBT SRAM, 4.5 ns, PBGA165 |
| GS82032GQ-150IT | 64K X 32 CACHE SRAM, 9 ns, PQFP100 |
| GS820V32GQ-5 | 64K X 32 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161E18T-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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