參數(shù)資料
型號： FDS5672
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 12000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 455K
代理商： FDS5672
Test Circuits and Waveforms
Figure 15.
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16.
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
Unclamped Energy Waveforms
Figure 17.
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
Gate Charge Test Circuit
Figure 18.
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gs
Q
gd
Q
gs2
Gate Charge Waveforms
Figure 19.
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
Switching Time Test Circuit
Figure 20.
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
Switching Time Waveforms
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5672 Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
N
7
相關PDF資料
PDF描述
FDS5680 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5682 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5682_NL N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5690 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6064N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDS5680 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS5680 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8
FDS5680 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
FDS5680_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDS5682 功能描述:MOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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