參數(shù)資料
型號(hào)： FDS5672
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 12000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 455K
代理商： FDS5672
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5672 Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
N
6
Figure 11.
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12.
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-80
-40
0
40
80
120
160
Normalized Drain to Source
Figure 13.
100
1000
0.1
1
10
60
40
6000
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14.
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 50V
D
= 12A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESI
Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
FDS5680 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5682 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5682_NL N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5690 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6064N3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS5680 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8
FDS5680 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
FDS5680_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDS5682 功能描述:MOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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