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參數(shù)資料
| 型號： | F49L004BA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 44/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | F49L004BA |
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EFS T
preliminary
F49L004UA / F49L004BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Aug. 2003
Revision: 0.2 44/46
11. ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
Table 15. Erase And Programming Performance (Note.1)
Limits
Parameter
Min.
Typ.(2)
Max.(3)
Unit
Sector Erase Time
0.7
15
sec
Chip Erase Time
11
sec
Byte Programming Time
9
300
us
Chip Programming Time
4.5
13.5
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
Notes:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25°C, 3V.
3.Maximum values measured at 25°C, 2.7V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLH0041G | 0.2 Amp Linear Power Operational Amplifier in a Hermetic 12-lead Package |
| FLM3439-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5359-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FM25L16 | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
| FM25L16-DG | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F49L004BA-70N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
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