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參數(shù)資料
| 型號： | F49L004BA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 20/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | F49L004BA |
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EFS T
preliminary
F49L004UA / F49L004BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Aug. 2003
Revision: 0.2 20/46
10.1 Read Operation
TA = 0C to 70C, V
CC
= 2.7V~3.6V
Table 10. Read Operations
-70
-90
Symbol
Description
Conditions
Min.
70
Max.
Min.
90
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
ns
t
ACC
Address to Output Delay
CE
=
OE
= V
IL
70
90
ns
t
CE
CE
to Output Delay
OE
= V
IL
70
90
ns
t
OE
OE
to Output Delay
CE
= V
IL
30
35
ns
t
DF
OE
High to Output Float
(Note1)
CE
= V
IL
25
30
ns
t
OEH
Output Enable
Read
0
0
ns
Hold Time
Toggle and
Data Polling
10
10
ns
t
OH
Address to Output hold
CE
=
OE
= V
IL
0
0
ns
Notes :
1. Not 100% tested.
2. t
is defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer
driven.
Figure 5. Read Timing Waveform
t
RC
Addresses Stable
Output Valid
Address
High- Z
CE
W E
0V
RY/BY
RESET
OE
Outputs
High- Z
t
AC C
t
O E H
t
O E
t
O H
t
D F
t
CE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLH0041G | 0.2 Amp Linear Power Operational Amplifier in a Hermetic 12-lead Package |
| FLM3439-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5359-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FM25L16 | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
| FM25L16-DG | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F49L004BA-70N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
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