參數(shù)資料
型號(hào)： F49L004BA
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
中文描述： 4兆位（為512k × 8）3V時(shí)僅閃存的CMOS
文件頁(yè)數(shù)： 42/46頁(yè)
文件大?。?/td> 371K
代理商： F49L004BA
EFS T
preliminary
F49L004UA / F49L004BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Aug. 2003
Revision: 0.2 42/46
Figure 26. Temporary Sector Unprotect Algorithm
Notes :
1. All protected status are temporary unprotect.
V
= 11.5V~12.5V
2. All previously protected sectors are protected again.
Start
RESET = V
ID
(Note 1)
RESET = V
IH
Program Erase or Program Operation
Temporary Sector Unprotect Completed (Note 2)
Operation Completed
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FLH0041G 0.2 Amp Linear Power Operational Amplifier in a Hermetic 12-lead Package
FLM3439-12F C-Band Internally Matched FET
FLM5359-12F C-Band Internally Matched FET
FM25L16 4Kb FRAM Serial 3V Memory
FM25L16-DG 4Kb FRAM Serial 3V Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
F49L004BA-70N 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L004BA-70T 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L004BA-90N 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L004BA-90T 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
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