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參數(shù)資料
| 型號： | F49L004BA |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8）3V時僅閃存的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 19/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 371K |
| 代理商： | F49L004BA |
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EFS T
preliminary
F49L004UA / F49L004BA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Aug. 2003
Revision: 0.2 19/46
10. AC CHARACTERISTICS
TEST CONDITIONS
Figure 3. Test Setup
Figure 4. Input Waveforms and Measurement Levels
Input
3.0V
0V
1.5V
Output
1.5V
Test Points
A C TE S TIN G : Input s a r e d ri ven at 3. 0 V f o r a l o g i c " 1 " a nd 0 V f o r a l og i c " 0 "
Inp ut p ul s e r i se a nd f al l ti m es a re < 5 ns .
Ω
Ω
6.2K
DIODES = IN3064
OR EQUIVALENT
+3.3V
2.7K
CL = 100pF Including jig capacitance
CL = 30pF for F49L004U(B)A
CL
DEVICE UNDER
TEST
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLH0041G | 0.2 Amp Linear Power Operational Amplifier in a Hermetic 12-lead Package |
| FLM3439-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FLM5359-12F | C-Band Internally Matched FET |
| FM25L16 | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
| FM25L16-DG | 4Kb FRAM Serial 3V Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F49L004BA-70N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-70T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90N | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L004BA-90T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory |
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