參數(shù)資料
型號: EL5625ILZ-T13
廠商: Intersil
文件頁數(shù): 9/12頁
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描述: IC BUFFER 18XGAMMA PROG 38-QFN
標準包裝: 2,500
應用: TFT-LCD 面板:伽瑪緩沖器,VCOM 驅(qū)動器
輸出類型: 滿擺幅
電路數(shù): 18
電流 - 電源: 11mA
電流 - 輸出 / 通道: 130mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 7 V ~ 16 V
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 38-VFQFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 38-QFN(5x7)裸露焊盤
包裝: 帶卷 (TR)
6
FN7488.1
February 20, 2008
Typical Performance Curves
FIGURE 1. TRANSIENT LOAD REGULATION (SOURCING)
FIGURE 2. TRANSIENT LOAD REGULATION (SINKING)
FIGURE 3. LARGE SIGNAL RESPONSE (RISING FROM 0V
TO 8V)
FIGURE 4. SMALL SIGNAL RESPONSE (FALLING FROM
200mV TO 100mV)
FIGURE 5. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 6. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
0mA
200mV/DIV
5mA
VS=VREFH=15V
CL=180pF
CL=1nF
CL=4.7nF
M=400ns/DIV
VS=VREFH=15V
5mA
0mA
CL=4.7nF
CL=1nF
200mV/DIV
M=400ns/DIV
CL=180pF
SCLK
SDI
ENA
OUTA
M=400s/DIV
SCLK
SDI
ENA
OUTA
M=400s/DIV
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD -
LPP EXPOSED DIEPAD SOLDERED TO
PCB PER JESD51-5
3.5
3
2
1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
3.33W
θJA=30°C/W
QFN38
125
85
2.5
1.5
0.5
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATIO
N
(W
)
0.80W
θJA=125°C/W
QFN38
125
85
EL5625
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PDF描述
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EL5724IRE-T13 功能描述:IC BUFFER 8XGAMMA 8.3MA 24HTSSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 系列:- 產(chǎn)品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:50 系列:- 應用:TFT-LCD 面板:VCOM 驅(qū)動器 輸出類型:滿擺幅 電路數(shù):1 -3db帶寬:35MHz 轉(zhuǎn)換速率:40 V/µs 電流 - 電源:3.7mA 電流 - 輸出 / 通道:1.3A 電壓 - 電源,單路/雙路(±):9 V ~ 20 V,±4.5 V ~ 10 V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)裸露焊盤 供應商設備封裝:8-uMax-EP 包裝:管件
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EL5724IREZ 功能描述:運算放大器 - 運放 EL5724IREZ 8 CH GAMM A BUFRS W/VCOM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流(最大值):10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel