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EPC2037ENGR

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 操作
  • EPC2037ENGR
    EPC2037ENGR

    EPC2037ENGR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話(huà)010-62...

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  • 1
EPC2037ENGR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 100V BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類(lèi)型
  • GaNFET N 通道，氮化鎵
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 1A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 550 毫歐 @ 100mA，5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 80μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 0.12nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 12.5pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2037ENGR 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2037 功能描述:TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.12nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2036ENGRT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2036 功能描述:TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 1A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.91nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:90pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2035 功能描述:TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 1A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 800μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.15nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2034ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:940pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105
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