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EPC2801

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    EPC2801

    EPC2801

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3445

  • EPC

  • 剪切帶(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
EPC2801 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Efficient Power Conversion
  • 功能描述
  • TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
EPC2801 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 15A,5V,8 毫歐 @ 15A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 15V,590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 15A,5V,8 毫歐 @ 15A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 15V,590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源極電壓(Vdss):120V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 4A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):120V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3.4A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 4A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:3 N 溝道(半橋 + 同步自舉) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源極電壓(Vdss):60V,100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A,500mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 2.5A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 200μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.22nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100
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