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EPC2818

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  • EPC2818
    EPC2818

    EPC2818

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 4025

  • EPC

  • 剪切帶(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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  • 制造商
  • Efficient Power Conversion
  • 功能描述
  • TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
EPC2818 技術參數(shù)
  • EPC2815 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 毫歐 @ 33A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2801 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道,氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 15A,5V,8 毫歐 @ 15A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 15V,590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 15A,5V,8 毫歐 @ 15A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 15V,590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源極電壓(Vdss):120V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 4A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100
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