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EPC2108ENGRT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2108ENGRT
    EPC2108ENGRT

    EPC2108ENGRT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • EPC2108ENGRT
    EPC2108ENGRT

    EPC2108ENGRT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • EPC

  • 帶卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
EPC2108ENGRT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 3 N 溝道(半橋 + 同步自舉)
  • FET 功能
  • GaNFET(氮化鎵)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 60V,100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 1.7A,500mA
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 190 毫歐 @ 2.5A,5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 200μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 0.22nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 22pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2108ENGRT 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2108 功能描述:MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:3 N 溝道(半橋 + 同步自舉) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):60V,100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A,500mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 2.5A, 5V, 3.3 歐姆 @ 2.5A, 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100μA,2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):22pF @ 30V, 7pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-BGA (1.35x1.35) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2107ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:3 N 溝道(半橋 + 同步自舉) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A,500mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):320 毫歐 @ 2A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.16nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):16pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2107 功能描述:MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:3 N 溝道(半橋 + 同步自舉) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A,500mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):320 毫歐 @ 2A, 5V, 3.3 歐姆 @ 2A, 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100μA,2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):16pF @ 50V, 7pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-BGA (1.35x1.35) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2106ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 2A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 600μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.73nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):75pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2106 功能描述:TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 2A,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 600μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.73nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):75pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR
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