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EPC2101

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2101
    EPC2101

    EPC2101

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 495

  • EPC

  • BGA

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯只做原裝

  • EPC2101ENG
    EPC2101ENG

    EPC2101ENG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 800

  • EPC

  • 托盤

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
EPC2101 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 個 N 通道(半橋)
  • FET 功能
  • GaNFET(氮化鎵)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 9.5A,38A
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 11.5 毫歐 @ 20A,5V,2.7 毫歐 @ 20A,5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 3mA,2.5V @ 12mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 2.7nC @ 5V,12nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 300pF @ 30V,1200pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2101 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2100ENGRT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),40A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.2 毫歐 @ 25A,5V,2.1 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):4.9nC @ 15V,19nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):475pF @ 15V,1960pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2100ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9.5A,38A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.5nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):380pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2100 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),40A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.2 毫歐 @ 25A,5V,2.1 毫歐 @ 25A,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):4.9nC @ 15V,19nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):475pF @ 15V,1960pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2049ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.6nC @ 5V Vgs(最大值):+6V,-4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):805pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 15A,5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2047ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET(氮化鎵) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10.2nC @ 5V Vgs(最大值):+6V,-4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1050pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818
配單專家

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