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EPC2101

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2101ENG
    EPC2101ENG

    EPC2101ENG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 800

  • EPC

  • 托盤

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • EPC2101
    EPC2101

    EPC2101

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 495

  • EPC

  • BGA

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
EPC2101 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 個(gè) N 通道（半橋）
  • FET 功能
  • GaNFET（氮化鎵）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 9.5A，38A
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 11.5 毫歐 @ 20A，5V，2.7 毫歐 @ 20A，5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 2.7nC @ 5V，12nC @ 5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 300pF @ 30V，1200pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2101 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2100ENGRT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta），40A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 25A，5V，2.1 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2100ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:380pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2100 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta），40A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 25A，5V，2.1 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2049ENGRT 功能描述:TRANS GAN 40V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.6nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:805pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 15A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2047ENGRT 功能描述:TRANS GAN 200V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.2nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1050pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818
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