EPC2102ENGRT

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

EPC2102ENGRT
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
92500
EPC
MOSFET 2 N-CHANNEL 6
22+
-

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功能描述
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
2 個(gè) N 通道（半橋）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
23A（Tj）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
4.4 毫歐 @ 20A，5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 7mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
6.8nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
830pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應(yīng)商器件封裝
模具
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

EPC2102ENGRT 技術(shù)參數(shù)

EPC2102ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2102 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2101ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:300pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2101ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:300pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 EPC2101 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.5A，38A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11.5 毫歐 @ 20A，5V，2.7 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.7nC @ 5V，12nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:300pF @ 30V，1200pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32