EPC2040ENGR

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型號
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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

EPC2040ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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功能描述
TRANS GAN 25V BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
托盤
零件狀態(tài)
無貨
FET 類型
GaNFET N 通道，氮化鎵
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
15V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
3.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
28 毫歐 @ 1.5A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
0.93nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
100pF @ 6V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應(yīng)商器件封裝
模具
標準包裝
10

EPC2040ENGR 技術(shù)參數(shù)

EPC2040 功能描述:MOSFET NCH 15V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.4A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.93nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:105pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 1.5A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標準包裝:1 EPC2039ENGRT 功能描述:TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:210pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2039 功能描述:TRANS GAN 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.8A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:210pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標準包裝:1 EPC2038ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.04nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2038 功能描述:TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.044nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8.4pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.3 歐姆 @ 50mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:模具封裝/外殼:模具標準包裝:1 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106 EPC2106ENGRT EPC2107 EPC2107ENGRT