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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DA28F016SA-080 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F016SA 16-MBIT (1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)FlashFile MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 12V PROM, 80 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 23.70 X 16 MM, 1.80 MM HEIGHT, SSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/63頁(yè) |
| 文件大小： | 635K |
| 代理商： | DA28F016SA-080 |
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28F016SV FlashFile MEMORY
E
34
5.4 DC Characteristics
(Continued)
V
CC
= 5V ± 0.5V, 5V ± 0.25V, T
A
= 0°C to +70°C, –40°C to +85°C
3/5# = Pin Set Low for 5V Operations
Temp
Commercial
Extended
Sym
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
I
CCR
2
V
CC
Read
Current
1,4,
5,6
45
55
45
60
mA
V
CC
= V
CC
Max
CMOS: CE
0
#, CE
1
#
= GND ± 0.2V,
BYTE# = GND ±
0.2V or V
CC
±
0.2V, Inputs =
GND ± 0.2V or
V
CC
±
0.2V
TTL: CE
0
#, CE
1
# =
V
IL
, BYTE# = V
IL
or V
IH
, Inputs =
V
IL
or V
IH
f = 5 MHz, I
OUT
=
0 mA
V
PP
= 12V
±
5%
Program in
Progress
V
PP
= 5V
±
10%
Program in
Progress
V
PP
= 12V
±
5%
Block Erase in
Progress
V
PP
= 5V
±
10%
Block Erase in
Progress
CE
0
#, CE
1
# = V
IH
Block Erase
Suspended
V
PP
≤
V
CC
I
CCW
V
CC
Program
Current for
Word or Byte
1,6
25
35
25
35
mA
25
40
25
40
mA
I
CCE
V
CC
Block
Erase
Current
1,6
18
25
18
25
mA
20
30
20
30
mA
I
CCES
V
CC
Erase
Suspend
Current
V
PP
Standby
/Read
Current
V
PP
Deep
Power-
Down Current
1,2
2
4
2
4
mA
I
PPS
1
± 1
± 10
± 3
± 10
μA
I
PPR
I
PPD
30
0.2
200
5
70
0.2
200
5
μA
μA
V
PP
> V
CC
RP# = GND ± 0.2V
1
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