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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DA28F016SA-080 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 28F016SA 16-MBIT (1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)FlashFile MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 12V PROM, 80 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 23.70 X 16 MM, 1.80 MM HEIGHT, SSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/63頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 635K |
| 代理商： | DA28F016SA-080 |
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28F016SV FlashFile MEMORY
E
28
From Output
under Test
Test
Point
2.5 ns of 25 Transmission Line
Total Capacitance = 100 pF
0528_09
Figure 9. Transient Equivalent Testing Load Circuit
(28F016SV-070/-080 at V
CC
= 5V ± 10%)
From Output
under Test
Test
Point
Total Capacitance = 50 pF
2.5 ns of 50
Transmission Line
0528_10
Figure 10. Transient Equivalent Testing Load Circuit
(28F016SV-075/-120 at V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
From Output
under Test
Test
Point
Total Capacitance = 30 pF
2.5 ns of 83
Transmission Line
0528_11
Figure 11. High Speed Transient Equivalent Testing Load Circuit
(28F016SV-065/-070 at V
CC
= 5V ± 5%)
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PDF描述 |
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